特許
J-GLOBAL ID：200903056368721744

集束イオン・ビーム装置及び集束イオン・ビーム照射方法

発明者：
竹内 恒一郎

竹内 恒一郎 について

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石谷 亨

石谷 亨 について

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小瀬 洋一

小瀬 洋一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-222212
公開番号（公開出願番号）：特開2006-040809
出願日： 2004年07月29日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】イオン・ビーム光軸上に磁場が存在し、更に磁場が変動する場合でもイオン・ビームが試料上で同位体分離を生じることが無く、磁場が無い場合のビーム・スポット位置へ集束する集束イオン・ビーム装置を提供する。【解決手段】補正磁場発生部10からイオン・ビーム3の光軸上に補正磁場を発生させ、外部磁場によるイオン・ビームの偏向を相殺する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
イオン源と、前記イオン源から放出されたイオン・ビームを試料上に集束させる集束イオン・ビーム光学系とを含む集束イオン・ビーム装置において、 前記集束イオン・ビーム光学系の外からの磁場の影響による前記イオン・ビームの偏向を補正するために前記イオン・ビームの光軸上に補正磁場を発生させる補正磁場発生部を備えたことを特徴とする集束イオン・ビーム装置。
IPC (6件)：
H01J 37/317 ,  H01J 37/04 ,  H01J 37/09 ,  H01J 37/147 ,  H01J 37/16 ,  H01J 37/28
FI (6件)：
H01J37/317 D ,  H01J37/04 B ,  H01J37/09 Z ,  H01J37/147 D ,  H01J37/16 ,  H01J37/28 B
Fターム (5件)：
5C030AA08 ,  5C030AA10 ,  5C033UU04 ,  5C033UU10 ,  5C034DD09
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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