特許
J-GLOBAL ID:200903056394567060

真空成膜方法および真空成膜装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤島 洋一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-144483
公開番号(公開出願番号):特開2002-343563
出願日: 2001年05月15日
公開日(公表日): 2002年11月29日
要約:
【要約】【課題】 基板の大きさに関わらず、撓みを生ずることなく、膜厚を均一に成膜することができる真空成膜方法および真空成膜装置を提供する。【解決手段】 基板15はその裏面の全体が基板保持具16により水平に保持される。蒸着源20は真空室11内の上部位置に配置されている。蒸着源20は、真空室11の天井面に設置された加熱ランプ21と、加熱ランプ21の下部位置に配設された蒸着坩堝22とにより構成される。蒸着源20からは蒸着材料が下方に飛び出し、蒸着源20の下方に位置する基板15の表面に堆積される。基板15の両端だけでなく底面全体を基板支持具16により接触状態で保持できるため、基板15が大型化しても撓むことがなく、均一に成膜することができる。基板15を鉛直に保持し、横方向から蒸着させるようにしてもよい。
請求項(抜粋):
真空雰囲気中において、表面が蒸着面となる基板の裏面側の略全面を基板保持部材により接触状態で保持すると共に、蒸着源から前記基板の蒸着面に向けて蒸着粒子を飛び出させることにより成膜を行うことを特徴とする真空成膜方法。
IPC (2件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (2件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
Fターム (8件):
3K007AB00 ,  3K007AB18 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03
引用特許:
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る