特許
J-GLOBAL ID：200903056475252935

半導体集積回路装置

発明者：
宮城 雅記

宮城 雅記 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツル株式会社

セイコーインスツル株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-270399
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086892
出願日： 2004年09月16日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】 高電圧から低電圧へのレベルシフト回路を小さな回路面積で構成した半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 高電圧動作回路部から低電圧動作回路部へ信号を伝達するレベルシフト回路を、ゲート電極が低電圧動作回路の電源電圧電位に固定されたデプレッション型NMOSトランジスタで構成した。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第一の電源で動作する第一の回路部と、前記第一の電源よりも低い電圧の第二の電源で動作する第二の回路部と、からなる半導体集積回路装置において、前記第一の回路部の出力端子に接続されたドレインと、前記第二の回路部の入力端子に接続されたソースと、前記第二の電源に接続されたゲートとを有するデプレッション型NMOSトランジスタを設け、前記デプレッション型NMOSトランジスタは前記第一の回路部の出力端子の信号を前記第二の回路部の入力端子に伝達することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (8件)：
H03K 19/018 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H03K 19/094 ,  H03K 3/356 ,  G11C 16/06
FI (8件)：
H03K19/00 101D ,  H01L27/04 F ,  H01L27/08 102J ,  H01L27/08 102C ,  H03K19/094 B ,  H03K3/356 B ,  G11C17/00 636Z ,  G11C17/00 634G
Fターム (34件)：
5B125BA01 ,  5B125CA06 ,  5B125ED07 ,  5F038BG08 ,  5F038BH07 ,  5F038BH15 ,  5F038DF01 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA05 ,  5F048AB01 ,  5F048AB04 ,  5F048AB10 ,  5F048AC02 ,  5F048AC03 ,  5F048BB16 ,  5J034AB05 ,  5J034CB01 ,  5J034DB08 ,  5J056AA11 ,  5J056BB51 ,  5J056CC00 ,  5J056CC14 ,  5J056CC21 ,  5J056DD13 ,  5J056DD17 ,  5J056DD29 ,  5J056EE03 ,  5J056EE06 ,  5J056EE07 ,  5J056EE08 ,  5J056FF07 ,  5J056FF08 ,  5J056GG09
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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