不揮発性半導体記憶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大日方富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167779
公開番号（公開出願番号）：特開2001-344981
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】フラッシュメモリのような不揮発性半導体記憶装置において、連続的なデータの書込み処理を行う場合に書込み時間の短縮が図れ、外部ホストの負荷も低減できる不揮発性半導体記憶装置を提供することにある。【解決手段】コントロールゲートとフローティングゲートとを有しフローティングゲートに電荷を注入又は放出させることでデータの書込みと消去が行われるMOSFETからなる複数のメモリセルを備え、該複数のメモリセルが所定セクタ毎に区分けされて該セクタ毎に書込み動作可能に構成されている不揮発性半導体記憶装置において、一回の書き込み動作で扱われるデータ量の2倍以上のデータを蓄積可能なレジスタを備え、外部から入力され上記レジスタに蓄えられている書込みデータを一のセクタに書き込んでいる間に、他のセクタへの書込みデータを外部から取り込んで上記レジスタに蓄積できるように構成する。

請求項（抜粋）：

コントロールゲートとフローティングゲートとを有しフローティングゲートに電荷を注入又は放出させることでデータの書込みと消去が行われるMOSFETからなる複数のメモリセルを備え、該複数のメモリセルが所定セクタ毎に区分けされて該セクタ毎に書込み動作可能に構成されている不揮発性半導体記憶装置において、一回の書き込み動作で扱われるデータ量の2倍以上のデータを蓄積可能なレジスタを備え、外部から入力され上記レジスタに蓄えられている書込みデータを一のセクタに書き込んでいる間に、他のセクタへの書込みデータを外部から取り込んで上記レジスタに蓄積できるように構成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

FI (2件)：

G11C 17/00 601 T , G11C 17/00 611 Z

Fターム (7件)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD01 , 5B025AD04 , 5B025AD10 , 5B025AE05

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-048740 出願人：ソニー株式会社
特開平2-062687
半導体記憶装置及びそのデータ管理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-244002 出願人：三菱電機株式会社

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