特許
J-GLOBAL ID：200903056655827359

受光素子を有する半導体装置、光学ピックアップ装置、および受光素子を有する半導体装置の製造方法

発明者：
荒井 千広

荒井 千広 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067145
公開番号（公開出願番号）：特開平11-266033
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 光照射が、受光素子の分割部およびその近傍になされる構成とする場合、周波数特性が悪化する。【解決手段】 半導体基板に、第1導電型の第1半導体部と、第2導電型の第2半導体部とによる接合部、すなわちp-n接合によって受光素子を形成する。そして、その第1半導体部の一部に、第2導電型の分割領域を形成し、受光素子の動作時に接合部に印加される逆バイアス電圧以下の逆バイアス電圧の印加によって、受光素子を構成する接合部と分割領域による接合部とからの空乏層の広がりによって第1半導体部を複数部分に分離する構成とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板に、第1導電型の第1半導体部と、第2導電型の第2半導体部とによる接合部による受光素子が形成され、上記第1半導体部の一部に第2導電型の分割領域が形成され、上記受光素子の動作時に上記接合部に印加される逆バイアス電圧以下の逆バイアス電圧の印加によって上記受光素子を構成する接合部および上記分割領域による接合部からの空乏層の広がりによって上記第1半導体部が複数部分に分離されるようにしたことを特徴とする受光素子を有する半導体装置。
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (14件)
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