特許
J-GLOBAL ID：200903056666904509
半導体不揮発性記憶装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-335760
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178112
出願日： 1996年12月16日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】印加電圧を低電圧化しても注入電子量に不足を生じにくく、さらに、蓄積した電荷をリークしにくい、電荷の保持能力に優れた積層絶縁膜を有する半導体不揮発性記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成された積層絶縁膜に電荷を蓄積する半導体不揮発性記憶装置であって、第1ボトム絶縁膜21と第1電荷トラップ絶縁膜26を有する第1積層絶縁膜CA1と、第2ボトム絶縁膜23と第2電荷トラップ絶縁膜24を有する第2積層絶縁膜CA2と、第2積層絶縁膜CA2から第1積層絶縁膜CA1への電荷の移動を可能にする接続部とを有し、第1積層絶縁膜CA1は第2積層絶縁膜CA2よりも電荷保持能力が高く設定されている構成とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された積層絶縁膜に電荷を蓄積する半導体不揮発性記憶装置であって、第1ボトム絶縁膜と第1電荷トラップ絶縁膜を有する第1積層絶縁膜と、第2ボトム絶縁膜と第2電荷トラップ絶縁膜を有する第2積層絶縁膜と、前記第2積層絶縁膜から前記第1積層絶縁膜への電荷の移動を可能にする接続部とを有し、前記第1積層絶縁膜は前記第2積層絶縁膜よりも電荷保持能力が高く設定されている半導体不揮発性記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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