特許
J-GLOBAL ID：200903057033400095
強誘電体薄膜メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089838
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282830
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】優れた水素バリア性能を有する材料であっても、結晶性良くキャパシタ上に形成することが困難であったため、プロセスに起因して発生する水素から強誘電体薄膜を十分に保護できないことが課題であった。【解決手段】 水素バリア膜のかわりに水素を貯蔵する性質を有する材料をキャパシタ上に設けることによって、プロセスに起因して発生する水素を捕獲し、キャパシタを水素雰囲気から隔離する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に下部電極、酸化物強誘電体薄膜および上部電極を順次積層して構成される強誘電体薄膜キャパシタと、このキャパシタ表面に被覆された保護膜層と、この保護膜層の前記上部電極上に設けられた開口部と、前記保護膜層上および前記開口部に形成された配線層とを具備する強誘電体薄膜メモリにおいて、前記保護膜層として水素の貯蔵性を有する薄膜が堆積されていることを特徴とする強誘電体薄膜メモリ。
Fターム (6件)：
5F083FR01
, 5F083GA27
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA38
, 5F083JA43
