特許
J-GLOBAL ID：200903057224422552

有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子

発明者：
田中 達夫

田中 達夫 について

, 
平井 桂

平井 桂 について

, 
竹村 千代子

竹村 千代子 について

, 
北 弘志

北 弘志 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタホールディングス株式会社

コニカミノルタホールディングス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-242090
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060116
出願日： 2004年08月23日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 薄膜トランジスタ用途に有用な有機TFT材料を分子設計し、得られた有機TFT材料を用いて、キャリア移動度が高く、且つ、高耐久性を併せ持つ、有機TFT、電界効果トランジスタ、更に、該有機TFTまたは該電界効果トランジスタを有するスイッチング素子を提供する。【解決手段】 重量平均分子量Mwが5,000〜10,000,000の範囲に有し、且つ、前記Mwと数平均分子量Mnとの比率Mw/Mnが3以下であるπ共役系構造を部分構造として有する高分子を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ材料。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
重量平均分子量Mwが5,000〜10,000,000の範囲に有し、且つ、前記Mwと数平均分子量Mnとの比率Mw/Mnが3以下であるπ共役系構造を部分構造として有する高分子を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ材料。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  C08G 61/12 ,  H01L 51/05
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  C08G61/12 ,  H01L29/28
Fターム (55件)：
4J032BA02 ,  4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA12 ,  4J032BA13 ,  4J032BA14 ,  4J032BB04 ,  4J032BB05 ,  4J032BB08 ,  4J032BB09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM