特許
J-GLOBAL ID：200903057262201845

光学素子、光集積デバイスおよびその製造方法

発明者：
竹村 浩一

竹村 浩一 について

, 
中田 正文

中田 正文 について

, 
清水 隆徳

清水 隆徳 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-250691
公開番号（公開出願番号）：特開2009-080378
出願日： 2007年09月27日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：
【課題】 任意の基板上に、薄膜の高誘電率酸化物を形成可能とし、高速、小型で低電圧駆動の光変調器等の光学素子、光集積デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 光学素子において、シリコン絶縁膜と接するように形成された高誘電率酸化物を、化学式ABO3、又は化学式(Bi2O2)(Am-1BmO3m+1)(m=1、2、3、4、5)で表される材料で形成し、さらに添加物としてマンガン、ケイ素、マグネシウム、バナジウム、クロム、鉄、モリブデン、ルテニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ネオジム、ガドリニウムのうち少なくとも1種以上を添加物として含むように構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン絶縁膜と接するように形成された高誘電率酸化物を備えた光学素子において、前記高誘電率酸化物は化学式ABO3で表され、それぞれAとしてバリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、カルシウム(Ca)、リチウム(Li)、カリウム(K)のうち少なくとも1種以上、Bとしてジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、亜鉛(Zn)、タングステン(W)のうち少なくとも1種以上を含む酸化物、 または化学式(Bi2O2)(Am-1BmO3m+1)(m=1、2、3、4、5)で表され、それぞれAとしてバリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、鉛(Pb)、カルシウム(Ca)、カリウム(K)、ビスマス(Bi)のうち少なくとも1種以上、Bとしてニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)のうち少なくとも1種以上を含む酸化物であって、 前記高誘電率酸化物にマンガン(Mn)、ケイ素(Si)、マグネシウム(Mg)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、鉄(Fe)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、ネオジム(Nd)、ガドリニウム(Gd)のうち少なくとも1種以上を添加物として含むことを特徴とする光学素子。
IPC (1件)：
G02F 1/03
FI (1件)：
G02F1/03 501
Fターム (7件)：
2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079DA03 ,  2H079DA22 ,  2H079EA08
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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