特許
J-GLOBAL ID：200903057385521704

半導体装置およびその製造方法

発明者：
三浦 峰生

三浦 峰生 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-125497
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303324
出願日： 2005年04月22日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】SiC半導体を用いつつ安定したデバイス特性を得る。SiC半導体を用いながらオン抵抗を効果的に低減する。 【解決手段】N型SiC半導体基板20には、間隔を開けて複数のP型ウエル23が形成されている。P型ウエル23の内方の領域にはN+型ソース層26が形成されている。隣接するP型ウエル23に跨るように、半導体基板20上に、ゲート絶縁膜24を挟んで、ゲート電極25が形成されている。隣り合うP型ウエル23の間の領域には、第1N型不純物拡散層41が形成されている。ウエル23内にはN+型ソース層26と重なるように第2N型不純物拡散層42が形成されている。第1および第2N型不純物拡散層41,42は、共通のイオン注入マスクを用いて同時に形成され、自己整合的に配置されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型のSiC半導体基板と、 このSiC半導体基板上に形成され、前記第1導電型とは異なる第2導電型のウエルと、 前記SiC半導体基板において前記ウエルを取り囲む領域に、前記ウエルと一部重なるように前記第1導電型の不純物を導入して形成された第1不純物拡散層と、 前記ウエル内において、前記不純物拡散層と所定の間隔を開けた領域に前記第1導電型の不純物を導入して形成された第2不純物拡散層と、 前記第1および第2不純物拡散層間のチャネル領域にゲート絶縁膜を挟んで対向配置されたゲート電極とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 658A
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (12件)
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