特許
J-GLOBAL ID：200903057498920613
混成集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-212264
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032803
出願日： 2004年07月20日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】厚膜回路基板において、絶縁性の基板上に銅導体ペーストの焼成により銅導体膜を形成する際、銅導体ぺ一ストは銅粉末にマンガンなどの粉末を分散させていたので、銅導体膜がポーラスな構造となり易かった。【解決手段】混成集積回路装置は、絶縁性の基板10と、基板上に形成され銅粉末に有機金属を添加した銅導体ペースト21A及び22Aを焼成して成る銅導体膜21及び22とを含む厚膜回路基板25と、銅導体膜上にはんだ35及び36によりはんだ付けされた電子部品38とから成る。厚膜回路基板において、銅粉末に有機金属を添加した銅導体ペーストを焼結して形成された銅導体膜21及び22は緻密な構造を持つ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁性の基板と、前記基板上に形成され銅粉末に有機金属を添加した銅導体ペーストを焼成して成る銅導体膜とを含む厚膜回路基板と、
前記銅導体膜上にはんだによりはんだ付けされた電子部品と、
から成ることを特徴とする混成集積回路装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F044KK04
, 5F044KK13
, 5F044KK18
, 5F044LL01
, 5F044LL07
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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