基板処理装置及び処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：影井俊次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-234229
公開番号（公開出願番号）：特開2001-137800
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：

【要約】【課題】基板の表面における洗浄等の処理精度及び処理効率を向上させる。【解決手段】ランプハウス12に設けた放電ランプ1は、チャンバ14内に臨んでおり、ローラコンベア11により基板10がチャンバ14内に搬入されて、この基板10に放電ランプから紫外光が照射される。ランプハウス12内は、窒素ガス供給管13から供給される窒素ガス雰囲気となっており、またチャンバ14には窒素ガスと水蒸気との混合流体が供給される加湿化不活性ガス供給管15が接続されて、チャンバ14内は加湿化不活性ガスが充満し、実質的に酸素の存在しない雰囲気下に置かれ、放電ランプ1によって短波長の紫外光が基板10に照射されて、有機物が分解され、分解された有機物は揮発物質に変換されて除去されると共に、基板10の接触角が小さくなる。

請求項（抜粋）：

搬送手段により搬送される被処理用の基板に対向するように設けたランプハウスと、このランプハウス内に装着され、前記基板に紫外光を照射するための誘電体バリア放電ランプと、前記基板と前記誘電体バリア放電ランプとの間に不活性ガスと水蒸気とを混合した加湿化不活性ガスを供給する加湿化不活性ガス発生手段とを備え、この加湿化不活性ガスに前記誘電体バリア放電ランプによる紫外光を照射することによって、還元性の活性種[H・]及び酸化性の活性種[・OH]を生成させる構成としたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (9件)：

B08B 7/00 , B01J 19/12 , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 500 , G11B 5/84 , G11B 7/26 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 645 , G21K 5/00

FI (9件)：

B08B 7/00 , B01J 19/12 C , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 500 , G11B 5/84 Z , G11B 7/26 , H01L 21/304 645 D , G21K 5/00 B , H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (9件)

紫外線照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-289966 出願人：株式会社芝浦製作所, 株式会社東芝
特開昭63-033824
特開平4-079325

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