特許
J-GLOBAL ID：200903057770499728

半導体光素子

発明者：
深野 秀樹

深野 秀樹 について

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山中 孝之

山中 孝之 について

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田村 宗久

田村 宗久 について

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赤毛 勇一

赤毛 勇一 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 光石 俊郎 ,  光石 忠敬 ,  田中 康幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-075103
公開番号（公開出願番号）：特開2004-280018
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】発熱に対する動作安定性等を向上させた半導体光素子を提供する。【解決手段】n-InP下部クラッド層102と、多重量子井戸層103と、p-InP上部クラッド層104とから構成されるハイメサリッジ型光導波路を有する光変調器100において、n-InP下部クラッド層102のリッジ側面に接触するようにしてn電極107を設けると共に、多重量子井戸層103の幅がリッジ両側面から1μmずつ光導波路の内側に凹状となるように加工する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ハイメサリッジ形状に成形された光導波路におけるコア層の熱を放熱可能な位置に金属電極を設けることを特徴とする半導体光素子。
IPC (1件)：
G02F1/017
FI (2件)：
G02F1/017 503 ,  G02F1/017 506
Fターム (9件)：
2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079EB12
引用特許：
審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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