特許
J-GLOBAL ID：200903058170755905

誘電体薄膜素子、圧電アクチュエータおよび液体吐出ヘッドならびにその製造方法

発明者：
伊福 俊博

伊福 俊博 について

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松田 堅義

松田 堅義 について

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福井 哲朗

福井 哲朗 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 阪本 善朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-411167
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175099
出願日： 2003年12月10日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】単結晶または高配向の結晶性誘電体薄膜を成膜するときの膜内応力による膜剥がれ等を防ぎ、大面積化を可能にする。【解決手段】液体吐出ヘッドの圧電アクチュエータに用いる結晶性の誘電体薄膜素子10、20を構成する圧電体薄膜13、23は、加熱による結晶化の工程で格子のミスフィット等による応力が発生する。そこで、基板11、21との間に、前記応力を吸収する双晶構造を有する中間層12、22を介在させることで、圧電体薄膜13、23の膜剥がれや圧電特性の劣化を抑制する。図1の(a)における中間層12は双晶構造の薄膜からなる中間第1層12aと下電極である中間第2層12bを有する多層構成であり、図1の(b)における基板21は下電極を兼ねているため、中間層22は双晶構造の薄膜のみを有する単層構成である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に積層された中間層と、前記中間層上に成膜された単結晶または単一配向性の誘電体薄膜とを備えた誘電体薄膜素子であって、前記中間層が、前記誘電体薄膜に発生する応力を緩和するための双晶構造の薄膜を有する単層または多層構成の積層体であることを特徴とする誘電体薄膜素子。
IPC (8件)：
H01L41/09 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H02N2/00
FI (9件)：
H01L41/08 C ,  H02N2/00 B ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/22 Z ,  B41J3/04 103A ,  B41J3/04 103H ,  H01L41/18 101A
Fターム (12件)：
2C057AF34 ,  2C057AF65 ,  2C057AF93 ,  2C057AG39 ,  2C057AG44 ,  2C057AG55 ,  2C057AP02 ,  2C057AP35 ,  2C057AP52 ,  2C057AQ02 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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