特許
J-GLOBAL ID：200903058200671191
垂直共振器型半導体発光素子、発光装置、光ディスク装置、記録装置、及びエッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-044296
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154850
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】 低しきい値電流密度で発振する垂直共振器型半導体発光素子を提供する。【解決手段】 Siドープn型GaAs基板11の上に、Clドープn型ZnMgSSeエピタキシャル層12、ZnCdSe井戸層及びZnSSeバリア層からなる多重量子井戸層13、Nドープp型ZnMgSSeエピタキシャル層14、Clドープn型ZnSSeエピタキシャル層15、Nドープp型ZnSSeエピタキシャル層16、多結晶SiO2層及び多結晶TiO2層からなるミラー17n及び17p、及びp型AuPd電極18を形成する。また、基板11の裏面には、レーザ光を出射するための窓11aを設けるとともに、n型AuGeNiPd電極19を形成する。Clドープn型ZnSSeエピタキシャル層15を電流ブロック層及び光閉じ込め層として機能させることにより、低しきい値電流密度及び長寿命が達成される。また、効果的な光閉じ込めが実現されて、単一横モードレーザ発振が得られる。
請求項（抜粋）：
II-VI族化合物半導体で形成された発光層と、該発光層の内部に相当する位置に開口部を有する第1のII-VI族化合物半導体層と、該発光層を挟むように設けられた上部ミラー及び下部ミラーと、を備えており、該開口部を通して該発光層に電流を注入する、垂直共振器型半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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