特許

J-GLOBAL ID：200903058214225712

ウエハチャック装置、半導体製造装置および半導体製造方法

発明者： 高浜 亨 ,  神田 智幸 ,  大西 寛 ,  草壁 嘉彦 ,  木之下 儀美 ,  北野 勝久 ,  吉田 和夫 ,  蔦原 晃一郎 ,  平松 健司 ,  山西 健一郎 ,  野口 利彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-027772
公開番号（公開出願番号）：特開平7-238380
出願日： 1994年02月25日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 均一な膜厚を有する薄膜をウエハに形成する。【構成】 サセプタ1のウエハ受容面3にはウエハ2の外径よりも少し小さな外径を有する凹部4がウエハ受容面3と同軸またはほぼ同軸に設けられ、サセプタでウエハを保持した場合、ウエハの外周部全域がウエハ受容面に同一幅をもって接触し、熱がサセプタからウエハ2の外周部に均一に伝達する。よって、このサセプタを反応ガスとの熱化学反応にてウエハの表面に薄膜を形成する半導体製造装置に使用した場合、ウエハが均一に加熱される。

請求項（抜粋）：

半導体装置の基体を構成するウエハをウエハ受容面に保持するサセプタを備えたウエハチャック装置において、上記サセプタのウエハ受容面にはウエハの外径よりも少し小さな外径を有する凹部が形成されたことを特徴とするウエハチャック装置。

IPC (4件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68

引用特許：

出願人引用 (11件)

• 特開平4-289168
  
• 特開平4-299832
  
• 特開平1-234391
  
• 特開平4-228569
  
• 成膜方法及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-353562   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-020915   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-277627
  
• CVD装置のプラズマ・クリーニング後処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-090275   出願人：株式会社東芝
• 炭素膜作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-269270   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-169831   出願人：日新電機株式会社
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203281   出願人：日立造船株式会社

審査官引用 (16件)

• 特開平4-289168
  
• 特開平4-299832
  
• 特開平1-234391
  
• 特開平4-228569
  
• 成膜方法及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-353562   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-020915   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-277627
  
• CVD装置のプラズマ・クリーニング後処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-090275   出願人：株式会社東芝
• 炭素膜作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-269270   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-169831   出願人：日新電機株式会社
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203281   出願人：日立造船株式会社
• 特開平4-289168
  
• 特開平4-299832
  
• 特開平1-234391
  
• 特開平4-228569
  
• 特開平4-277627