特許
J-GLOBAL ID：200903058239594003

選択的ディスポーザブルスペーサー技術を使用する半導体集積回路の製造方法及びそれによって製造される半導体集積回路

発明者：
李 相殷

李 相殷 について

, 
宋 潤洽

宋 潤洽 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-029903
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241780
出願日： 2004年02月05日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
【課題】 信頼性を改善できる選択的なディスポーザブルスペーサー技術を使用して半導体集積回路を製造する方法及びそれを利用して製造される半導体集積回路を提供する。【解決手段】 本発明の方法は、半導体基板上に複数の平行なゲートパターンを形成することを備える。ゲートパターン間の領域は、第1幅を有する第1開口部及び第1幅よりも大きい第2幅を有する第2開口部で構成される。第2開口部の側壁上にスペーサーを形成すると同時に第1開口部を満たすスペーサー膜パターンを形成する。スペーサーを選択的に除去して第1開口部の側壁を露出させる。半導体集積回路はスペーサーの除去に起因して拡張された広い開口部と調和しスペーサー膜パターンで満たされた狭くて深い開口部を備える。【選択図】 図50
請求項（抜粋）：
半導体基板に素子分離膜を形成して第1活性領域及び第2活性領域を限定し、 前記第1活性領域の上部を横切る複数の第1平行なゲートパターンを形成するが、前記第1ゲートパターン間の領域は、第1幅を有する第1開口部及び前記第1幅よりも大きい第2幅を有する第2開口部を備え、 前記第1開口部によって露出される前記素子分離膜を選択的に除去し、 前記第1開口部によって露出される前記半導体基板の表面及び前記第2開口部によって露出される前記第1活性領域にそれぞれライン形態の第1不純物領域及びアイランド形態の第2不純物領域を形成し、 前記第2活性領域の上部を横切る第2ゲートパターンを形成し、 前記第2ゲートパターンの両サイドに位置する前記第2活性領域に低濃度ソース/ドレーン領域を形成し、 前記第2開口部の側壁及び前記第2ゲートパターンの側壁を覆うスペーサー及び前記第1開口部を満たすスペーサー膜パターンを形成し、 前記第2活性領域に前記低濃度ソース/ドレーン領域に隣接する高濃度ソース/ドレーン領域を形成して前記低濃度ソース/ドレーン領域及び前記高濃度ソース/ドレーン領域を含むLDD型のソース/ドレーン領域を提供し、 前記スペーサーを除去して前記第2開口部の側壁及び前記第2ゲートパターンの側壁を露出させると同時に前記第1開口部内にリセスされているスペーサー膜パターンを残し、 前記リセスされているスペーサー膜パターンを有する半導体基板の全面上にコンフォーマルなエッチング阻止膜を形成することを含む半導体集積回路の製造方法。
IPC (8件)：
H01L21/8247 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (7件)：
H01L27/10 434 ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 481 ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/76 L ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 102D
Fターム (48件)：
5F032AA34 ,  5F032BA03 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA22 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BF06 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F083EP04 ,  5F083EP27 ,  5F083EP28 ,  5F083EP77 ,  5F083ER22 ,  5F083GA02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR05 ,  5F083PR37 ,  5F083PR43 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA03 ,  5F101BA07 ,  5F101BA16 ,  5F101BB03 ,  5F101BC01 ,  5F101BD07 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BE07 ,  5F101BH21
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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