セラミックス膜およびその製造方法ならびに半導体装置、圧電素子およびアクチュエータ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：布施行夫 , 大渕美千栄 , 永田美佐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-315881
公開番号（公開出願番号）：特開2009-107345
出願日： 2008年12月11日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体20を結晶化することにより、セラミックス膜30を形成する工程を含み、原材料体20は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

原材料体を結晶化することにより、セラミックス膜を形成する工程を含み、前記原材料体は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある、セラミックス膜の製造方法。

IPC (8件)：

B28B 1/30 , C04B 35/00 , H01L 41/187 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 41/24 , H01L 27/108 , H01L 41/09

FI (8件)：

B28B1/30 101 , C04B35/00 J , H01L41/18 101B , H01L27/10 444C , H01L41/22 A , H01L27/10 444B , H01L27/10 651 , H01L41/08 C

Fターム (43件)：

4G030AA09 , 4G030AA13 , 4G030AA16 , 4G030AA17 , 4G030AA21 , 4G030AA24 , 4G030AA38 , 4G030AA40 , 4G030AA43 , 4G030BA09 , 4G030BA10 , 4G030CA08 , 4G048AA03 , 4G048AA05 , 4G048AB02 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AD08 , 4G048AE08 , 4G052DA02 , 4G052DA08 , 4G052DB12 , 4G052DC01 , 5F083AD21 , 5F083AD49 , 5F083AD53 , 5F083FR01 , 5F083GA27 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083KA01 , 5F083KA19 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083NA01 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (8件)

強誘電体薄膜構成体
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-079535 出願人：住友金属鉱山株式会社
強誘電体薄膜素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-002712 出願人：シャープ株式会社
圧電磁器
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-336368 出願人：京セラ株式会社

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