特許
J-GLOBAL ID：200903058294190000

半導体記憶装置

発明者：
田代 晋也

田代 晋也 について


出願人/特許権者：
日本電気アイシーマイコンシステム株式会社

日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 について


代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-365986
公開番号（公開出願番号）：特開2001-184860
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルのデータ保持を確実かつ低消費電力動作を満たすようにセルフリフレッシュ期間を、デバイスを再設計および再生産することなく変更できる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 セルフリフレッシュ期間可変手段により、セルフリフレッシュ期間を可変にし、セルフリフレッシュ期間の異なる複数の条件で半導体記憶装置の特性を外部の測定装置により測定し、データ保持が確実かつ低消費電力動作可能な条件の特定のセルフリフレッシュ期間を求め、特定のセルフリフレッシュ期間を生成するための発振回路の発振周期が、前発振回路内の電流能力調整回路の複数のフューズを適宜溶断することにより、確定するように構成する。
請求項（抜粋）：
セルリフレッシュモードを有する半導体記憶装置であって、セルフリフレッシュ期間可変手段を具備し、該セルフリフレッシュ期間可変手段は、所定の外部アドレス信号を入力し、該所定の外部アドレス信号を基に発振周期制御信号を生成し、該発振周期制御信号により発振回路の発振周期を可変とすることにより、セルフリフレッシュ期間を可変にしたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 11/403 ,  G11C 11/407 ,  G11C 11/406
FI (3件)：
G11C 11/34 363 M ,  G11C 11/34 362 S ,  G11C 11/34 363 L
Fターム (6件)：
5B024AA01 ,  5B024AA03 ,  5B024BA29 ,  5B024CA11 ,  5B024DA08 ,  5B024DA18
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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