特許
J-GLOBAL ID：200903058362005551
半導体受光素子及びその作製用のマスク
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-277770
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125948
出願日： 1996年10月21日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 導波路形の半導体受光素子において大きい光入射パワーに対しても素子破壊の起きにくい高耐入力の半導体受光素子を提供する。【解決手段】 光吸収層15を有する導波形の半導体受光素子において、光吸収層15の相対向する両側に光ガイド層14、16を設けるとともに、光吸収層15が光入射端面11に向かって徐徐に薄くなるように構成することにより、光吸収層15の光入射端面11における光閉じ込め量を小さくして光吸収量を低減したものである。
請求項（抜粋）：
光吸収層として作用する半導体層を有する導波形の半導体受光素子において、上記半導体層の片側または相対向する両側に光のガイドをするための半導体層を設けるとともに、この半導体層を第1導電形の半導体層と第2導電形の半導体層によって挟んだ構造とし、さらに上記光吸収層として作用する半導体層の層厚を光入射端に向かって徐徐に薄くなるように構成したことを特徴とする半導体受光素子。
引用特許：
前のページに戻る
