特許
J-GLOBAL ID：200903058396998460
半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
角田 嘉宏
, 古川 安航
, 西谷 俊男
, 幅 慶司
, 内山 泉
, 是枝 洋介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-030843
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191588
出願日： 2005年02月07日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】COD発生によるレーザ劣化の抑制。【解決手段】製造方法が、基板21の主面上の第1の窒化物系III-V族化合物半導体層上に幅の異なる第1幅部及び第2幅部を有するストライプ状のマスキング膜23を幅方向に所定の周期で繰り返すように形成する工程と、マスキング膜と第1の窒化物系III-V族化合物半導体層の表面のマスキング膜の間に露出する部分とを覆うように該露出部分から第2の窒化物系III-V族化合物半導体層25を選択的に成長する工程と、第2の窒化物系III-V族化合物半導体層上に実質的にマスキング膜の延在方向に延びる活性層を含む半導体レーザ構造26〜33を積層し、それにより、マスキング膜の第1幅部(ストライプ1)と第2幅部(ストライプ2)との境界上の部位に第1幅部と第2幅部との幅差に応じた積層の段差301有する半導体レーザ構造を得る工程とを有する。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
第1の窒化物系III-V族化合物半導体層上に、所定幅の第1幅部と該第1幅部の両端に隣接する前記所定幅よりも広い幅の第2幅部とを有するストライプ状のマスキング膜を、幅方向に所定の周期で繰り返すように形成する工程Aと、
前記マスキング膜と前記第1の窒化物系III-V族化合物半導体層の表面の該マスキング膜の間に露出する部分とを覆うように該露出部分から第2の窒化物系III-V族化合物半導体層を選択的に成長する工程Bと、
実質的に前記マスキング膜のストライプ方向に延びる活性層を含むと共に前記第2幅部の上方に位置する部分が前記第1幅部の上方に位置する部分よりも低くなっていることにより幅方向に延在する段差を有する半導体レーザ構造を、前記第2の窒化物系III-V族化合物半導体層上に積層する工程Cとを有する、半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S5/343
, H01S5/16
, H01S5/22
H01S5/343 610
, H01S5/16
, H01S5/22
5F173AA08
, 5F173AB73
, 5F173AG12
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AJ04
, 5F173AJ13
, 5F173AK08
, 5F173AL03
, 5F173AL05
, 5F173AL13
, 5F173AP05
, 5F173AP13
, 5F173AP19
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AR96
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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