特許
J-GLOBAL ID：200903058642866048

薄膜コンデンサ

発明者：
中島 恒

中島 恒 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-122815
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327866
出願日： 2003年04月25日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】誘電体形成領域を減少させることなく、高い耐湿性を有する薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】支持基板1上に複数の電極層2、4と薄膜誘電体膜3を積層して形成した容量素子AをNiからなる金属保護膜5及びCVD法により成膜した酸化珪素からなる耐湿保護膜6のどちらか一方あるいは両方により完全に被覆し、耐湿保護膜6を保護層7で被覆し、保護層7から露出した金属保護膜5上に外部端子9を形成した薄膜コンデンサにおいて、金属保護膜5の膜厚減少部の厚みを0.6μm以上、耐湿保護膜の膜厚減少部の厚みを2.0μm以上に制御した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基板と、前記支持基板上に形成され、且つ複数の電極層と薄膜誘電体膜とを交互に積層して成る複数の容量素子と、 前記複数の容量素子の一部を被覆するとともに、該複数の容量素子の同一極性の電極層を互いに接続する金属保護膜と、 少なくとも前記金属保護膜から露出する複数の容量素子を被覆する耐湿保護膜と、 該金属保護膜上の外部端子となる領域を除いて、金属保護膜及び耐湿保護膜を被覆する保護層とから成る薄膜コンデンサにおいて、 前記金属保護膜は、その膜厚みが0.6μm以上のNiであるとともに、前記耐湿保護膜は、CVD法により形成され、その膜厚が2.0μm以上の酸化珪素であることを特徴とする薄膜コンデンサ。
IPC (1件)：
H01G4/33
FI (1件)：
H01G4/06 102
Fターム (30件)：
5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC33 ,  5E082BC35 ,  5E082BC40 ,  5E082CC03 ,  5E082EE05 ,  5E082EE12 ,  5E082EE13 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082EE45 ,  5E082EE50 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG42 ,  5E082FG56 ,  5E082FG60 ,  5E082GG11 ,  5E082GG26 ,  5E082GG28 ,  5E082HH43 ,  5E082HH51 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ12 ,  5E082JJ15 ,  5E082JJ30 ,  5E082MM09 ,  5E082PP09
引用特許：
審査官引用 (9件)
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