ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-008750
公開番号（公開出願番号）：特開2009-169205
出願日： 2008年01月18日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：

【課題】ArFエキシマレーザー光等の高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、解像性の向上、及びマスク忠実性、特にLERを低減したパターンを与えることのできるポジ型レジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、(A)が式(a)、式(b)、式(c)の繰り返し単位を含む高分子化合物(1)、(B)が特定のスルホニウム塩化合物であるポジ型レジスト材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分(A)と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物(B)とを含有し、樹脂成分(A)が下記一般式(a)単位、下記一般式(b)単位、下記一般式(c)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物(1)であり、かつ酸を発生する化合物(B)が下記一般式(2)で示されるスルホニウム塩化合物であることを特徴とするポジ型レジスト材料。

IPC (5件)：

G03F 7/039 , G03F 7/004 , G03F 7/38 , H01L 21/027 , C08F 220/12

FI (7件)：

G03F7/039 601 , G03F7/004 503A , G03F7/004 501 , G03F7/004 504 , G03F7/38 501 , H01L21/30 502R , C08F220/12

Fターム (36件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025DA34 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA10 , 2H096EA05 , 2H096GA09 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA02P , 4J100BA03Q , 4J100BA11R , 4J100BA20R , 4J100BC03P , 4J100BC04P , 4J100BC09P , 4J100BC09Q , 4J100BC12P , 4J100BC53P , 4J100BC53R , 4J100BC58R , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (8件)

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-050264 出願人：富士通株式会社
レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312722 出願人：富士通株式会社
光感応性酸発生剤およびそれらを含むフォトレジスト
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-545309 出願人：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.

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