特許
J-GLOBAL ID：200903058690869482

半導体発光デバイス

発明者：
馬場 俊彦

馬場 俊彦 について

, 
風間 拓也

風間 拓也 について

, 
園田 純一

園田 純一 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


代理人 (1件)： 塩野入 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-261218
公開番号（公開出願番号）：特開2008-084974
出願日： 2006年09月26日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】発光体が放射する光を空気中により効率よく取り出す。【解決手段】基板層と、この基板層の上方に、第1の層、活性層、および第2の層を順に積層した構成し、表面に二次元周期構造を有する単数または複数からなる層を活性層の上方に設ける。第2の層は、二次元周期構造中、または二次元周期構造の近傍に活性層の屈折率とほぼ等しい中間層を備える。中間層は方向性結合の役割を果たし、活性層と二次元周期構造との結合を強め光取り出しの効果を改善する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板層と、 前記基板層の上方に設けた第1導電型半導体クラッド層を含む単数または複数からなる第1の層と、 前記第1の層の上方に設けた活性層と、 前記活性層の上方に設けた、第2導電型半導体クラッド層を含み、表面に二次元周期構造を有する単数または複数からなる第2の層と、を備えた半導体発光デバイスであって、 前記第2の層は、前記活性層の屈折率以下の屈折率を有する中間層を含み、 前記中間層は、前記第2の層を構成する何れの他の層の屈折率より高い屈折率を有することを特徴とする半導体発光デバイス。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 A
Fターム (14件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (9件)
  • 自発光デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-204976   出願人：国立大学法人横浜国立大学
  • 半導体発光素子およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-119223   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-299010   出願人：ローム株式会社
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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