ニッケル-シリコン系化合物の形成方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-323434
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128493
出願日： 2003年09月16日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】半導体製造プロセスの温度でも組成が安定しており、電気的特性が向上された良質なニッケルシリサイドを形成できるニッケル-シリコン系化合物の形成方法を提供する。【解決手段】Si(1 0 0)基板2上にNi膜1を形成した後、Ni膜1およびSi基板2を約0°Cから約300°Cまで急速に一気に加熱する。続けて、Ni膜1が形成されたSi基板2の温度を約10秒間かけて約50°C上昇させた後、約30秒間温度を保持する段階的な加熱工程を、10回繰り返す。Ni膜1およびSi基板2の温度を約800°Cまで上昇させた後、Ni膜1およびSi基板2の温度を、約300°C〜約800°Cまでの段階的かつ階段状の加熱工程に掛かった時間と略同じ時間、約800°Cに保持する。この後、Ni膜1およびSi基板2を約800°Cから約0°Cまで急速に、かつ、一気に冷却する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン単体およびシリコンを含む化合物のうちの少なくとも一方の上にニッケルを設ける工程と、前記ニッケルを、前記シリコン単体および前記シリコンを含む化合物のうちの少なくとも一方とともに段階的に加熱する工程と、を含むことを特徴とするニッケル-シリコン系化合物の形成方法。

IPC (4件)：

H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/786

FI (6件)：

H01L21/28 301S , H01L21/28 B , H01L29/78 616K , H01L29/78 617J , H01L29/78 301P , H01L29/78 301S

Fターム (49件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB21 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD02 , 4M104DD23 , 4M104DD50 , 4M104DD77 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F110AA03 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110HK05 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HK40 , 5F110NN62 , 5F140AA01 , 5F140AA10 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG35 , 5F140BG56 , 5F140BH06 , 5F140BH27 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK18 , 5F140BK29 , 5F140BK35 , 5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (10件)

電界効果型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-270854 出願人：日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-233936 出願人：株式会社東芝
金属シリサイドの相転移温度を低下させる方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-256787 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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