特許
J-GLOBAL ID：200903058790463394

電界効果トランジスタ

発明者：
松尾 尚慶

松尾 尚慶 について

, 
上田 哲三

上田 哲三 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-179088
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311733
出願日： 2006年06月29日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】窒化物半導体電界効果トランジスタにおいて、高耐圧化、かつノーマリオフ動作の実現する。【解決手段】電界効果トランジスタは、電子の流れるチャネル層がチャネル層よりも禁制帯幅の大きな下地層と電子供給層に挟まれた形で形成される、いわゆるダブルヘテロ構造を有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にIII族窒化物半導体より構成される下地層とチャネル層と電子供給層とがこの順に形成されており、前記チャネル層の禁制帯幅が前記下地層及び前記電子供給層の禁制帯幅よりも小さいことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (13件)：
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR04 ,  5F102GT05 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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