特許
J-GLOBAL ID：200903058827708848
シリコン系薄膜及び光電変換素子、並びにシリコン系薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-148860
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356163
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】可視光域で大きな分光吸収率を有する等の光電変換素子に用いた場合に優れた特性をもつシリコン系薄膜及び光電変換素子、並びにシリコン系薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】本発明によるシリコン系薄膜は、平均粒径2nm〜100nmのナノシリコン結晶粒子の集合体からなることを特徴とする。従って、シリコン系薄膜が可視光の波長の1/3以下の大きさのナノシリコン結晶粒子の集合体からなり、量子サイズ効果によって可視光域での分光吸収率が従来のシリコン膜よりも大きくなっているため、光電変換素子に用いた場合に電気エネルギーに変換できる光をより多く膜中に取り込むことができるという効果が奏される。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
平均粒径2nm〜100nmのナノシリコン結晶粒子の集合体からなることを特徴とするシリコン系薄膜。
IPC (5件)：
H01L31/04
, C23C14/14
, C23C14/28
, H01L21/203
, H01L27/146
H01L31/04 B
, C23C14/14 A
, C23C14/28
, H01L21/203 Z
, H01L27/14 A
4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA35
, 4K029BD00
, 4K029CA02
, 4K029CA15
, 4K029DA12
, 4K029DB20
, 4K029EA03
, 4K029GA01
, 4M118AA01
, 4M118AB05
, 4M118AB10
, 4M118CA05
, 4M118CB06
, 4M118CB07
, 5F051AA04
, 5F051BA11
, 5F051CA02
, 5F051CA03
, 5F051CA04
, 5F051CA11
, 5F051CA20
, 5F051CA35
, 5F051CB24
, 5F051DA04
, 5F051DA20
, 5F051GA03
, 5F103AA01
, 5F103BB15
, 5F103BB16
, 5F103DD16
, 5F103GG03
, 5F103HH04
, 5F103LL04
, 5F103PP03
, 5F103RR05
