特許
J-GLOBAL ID：200903058991997966
半導体製造用加熱冷却装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲高▼橋 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-095991
公開番号（公開出願番号）：特開2004-303998
出願日： 2003年03月31日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【課題】本発明は所定の半導体基板の製造工程における加熱処理および冷却処理を行う半導体製造用加熱冷却装置に関し、単一のチャンバ内でベーキングと冷却において効率的な処理を可能として設備全体の縮小化を図ることを目的とする。【解決手段】単一のチャンバ内で、半導体基板としてのフォトマスクにベーキングを行う加熱ヒータ12を、炭化珪素(SiC)を含んで形成されて常温以上で膨張率が小の薄板基材に発熱体を所定パターンで形成し、ベーキング後の当該半導体基板に冷却手段13で当該加熱ヒータ12を介在させた状態で常温程度まで冷却する構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単一のチャンバ内の所定領域内で、半導体基板に対し、常温以上でベーキングを行い、当該ベーキング後に常温程度に冷却する半導体製造用加熱冷却装置であって、
前記半導体基板を所定温度で加熱してベーキングを行うもので、炭化珪素(SiC)を含んで形成されて常温以上で膨張率が小の薄板基材上に、所定パターンの発熱体が形成された加熱ヒータと、
前記加熱ヒータによるベーキング後の前記半導体基板に、当該加熱ヒータを介在させた状態で常温程度まで冷却する冷却手段と、
を有することを特徴とする半導体製造用加熱冷却装置。
IPC (3件)：
H01L21/027
, H05B3/20
, H05B3/74
H01L21/30 567
, H05B3/20 301
, H05B3/74
3K034AA02
, 3K034BA08
, 3K034BB04
, 3K034BC12
, 3K034FA12
, 3K034FA28
, 3K092QA03
, 3K092QB26
, 3K092QB43
, 3K092QB65
, 3K092RF03
, 3K092RF11
, 3K092RF19
, 3K092RF22
, 3K092SS47
, 3K092VV04
, 5F046KA04
, 5F046KA10
