特許
J-GLOBAL ID:200903059102854411

形状測定装置および形状測定方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-074249
公開番号(公開出願番号):特開2006-258516
出願日: 2005年03月16日
公開日(公表日): 2006年09月28日
要約:
【課題】 従来は、二次元又は三次元形状計測の際に用いた計測手法固有の形状算出式のパラメータと形状指標値とを関連づけ,前記パラメータを調整することにより,形状を補正する場合、補正による形状変形の自由度も形状の算出に用いられるモデル式に依存するため,多くの形状バリエーションをもつ補正対象には不向きであった。【解決手段】 本発明では、任意の三次元形状計測手法によって計測された半導体パターンの三次元形状に曲線式を当てはめ,別途算出した形状指標値に基づいて前記曲線式のパラメータを調整することによって前記三次元形状を補正するようにした。前記形状指標値と前記パラメータとの関係をデータベースに蓄積し,計測時は前記関係をもとに計測形状の補正が実施されるようにした。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体パターンを走査型電子顕微鏡で観察して前記半導体パターンのSEM画像を取得し、該半導体パターンのSEM画像から前記半導体パターンの形状を求め、該求めた形状と相関がある形状指標値を求め,前記形状指標値を基に前記SEM画像から求めた前記半導体パターンの形状を補正することを特徴とする形状測定方法。
IPC (3件):
G01B 15/04 ,  G01N 23/203 ,  G01N 23/225
FI (3件):
G01B15/04 ,  G01N23/203 ,  G01N23/225
Fターム (31件):
2F067AA04 ,  2F067AA23 ,  2F067AA53 ,  2F067AA54 ,  2F067CC15 ,  2F067CC17 ,  2F067GG08 ,  2F067HH06 ,  2F067HH13 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067KK08 ,  2F067PP12 ,  2F067QQ02 ,  2F067RR12 ,  2F067RR30 ,  2F067RR31 ,  2F067SS02 ,  2F067SS13 ,  2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001BA15 ,  2G001CA03 ,  2G001DA09 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001HA07 ,  2G001HA13 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (6件)
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