特許
J-GLOBAL ID：200903059184999293
厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜レジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-102956
公開番号（公開出願番号）：特開2004-309776
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】メッキによる生成物の形状が良好でかつ安定し、耐メッキ性に優れ、接続端子等の製造に好適な厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、これを用いた厚膜レジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法を提供すること。【解決手段】支持体上に、膜厚10〜150μmの厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられ、(A)活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂、及び(C)アルカリ可溶性樹脂を含有し、前記(B)成分が、(b1)特定構造を有する構成単位を含む共重合体からなる樹脂を含有することを特徴とする厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
支持体上に、膜厚10〜150μmの厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、
(A)活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂、及び(C)アルカリ可溶性樹脂を含有し、
前記(B)成分が、(b1)下記一般式(1):
IPC (3件)：
G03F7/039
, H01L21/027
, H01L21/60
G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
, H01L21/92 604S
2H025AB15
, 2H025AB17
, 2H025AC01
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BG00
, 2H025CB52
, 2H025CC20
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
