特許
J-GLOBAL ID：200903059418273852

微細構造形成実験用マスクパターン

発明者：
芦田 極

芦田 極 について

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森田 昇

森田 昇 について

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川堰 宣隆

川堰 宣隆 について

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廖 国新

廖 国新 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-319845
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128706
出願日： 2005年11月02日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 実験によりマスク部及びマスク部以外の領域のエッチングレートを算出する際、絶対的な高さの変化を測定できず、正確にエッチングレートを算出できない【解決手段】 単結晶シリコンに対してFFM加工、FIB照射等により極微細な機械加工を行い、または他の手法によりエッチングマスクとして機能する表面を形成し、その後にエッチング液を用いてマスク以外の部分を溶解することで、ナノメータスケールの微細構造を形成する加工を行うため、加工条件に関する基礎的データを収集するための実験を行うに際して、加工部の近傍に高さ測定の基準面となる40μm×40μm程度の正方状のSiO2マスクパターンを作製しておく。この基準面を参照することで、マスク部及びエッチング部のエッチングレートを容易に、且つ正確に測定できる。このとき、加工部の近傍に加工条件の識別のため00〜99までの数字を作製しておく。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン材料表面にエッチングマスクとして機能する微細構造表面を形成し、その後エッチング液を用いてマスク以外の部分を溶解して、ナノメータスケールの微細構造を形成する加工法における、加工条件に関する基礎的データを収集するための実験を行う際に、 前記微細構造形成部分に近接して前記エッチングによる除去が全くなされない基準面を予め形成し、 前記基準面を参照してマスク部及びエッチング部のエッチングレートを測定することを特徴とする微細構造形成実験方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  B82B 3/00
FI (2件)：
H01L21/306 Z ,  B82B3/00
Fターム (7件)：
5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043DD17 ,  5F043DD21 ,  5F043DD27 ,  5F043FF01 ,  5F043GG10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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