特許
J-GLOBAL ID：200903059658320343
超伝導材料及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 黒川 弘朗
, 山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-171802
公開番号（公開出願番号）：特開2009-007216
出願日： 2007年06月29日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：
【課題】バルクレベルで超伝導状態となる新規な材料系を提供する。【解決手段】超伝導薄膜101は、アモルファス状態の炭素よりなる基質111と、基質111の中に局所的に形成されたsp2混成軌道による結合(sp2結合)の部分からなる微細な複数のナノグラファイト(超伝導領域)112と、基質111の中に局所的に形成されたsp3混成軌道による結合(sp3結合)の部分からなる微細な複数のナノダイアモンド113とを備える。隣り合うナノグラファイト112は、超伝導近接効果を示す距離離間して形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基質と、
前記基質内に配置され、前記基質と同じ元素からなる所定条件で超伝導特性を示す複数の超伝導領域と
を備え、
隣り合う前記超伝導領域は、超伝導近接効果を示す距離離間している
ことを特徴とする超伝導材料。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B31/04 101Z
, H01L39/24 B
4G146AA01
, 4G146AA02
, 4G146AA04
, 4G146AA07
, 4G146AA19
, 4G146AB07
, 4G146AD02
, 4G146AD21
, 4G146BA02
, 4G146BB23
, 4G146BC10
, 4G146BC16
, 4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BA34
, 4K029BC04
, 4K029CA05
, 4K029CA13
, 4K029DC02
, 4K029DC48
, 4K029GA00
, 4M113AD36
, 4M113AD66
, 4M113BA04
, 4M113BC08
, 4M113CA11
, 4M113CA43
, 5G321AA98
, 5G321CA24
, 5G321CA27
, 5G321CA99
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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