特許
J-GLOBAL ID：200903059715545926
ランダムアクセスメモリ及びその読み出し、書き込み、及びリフレッシュ方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 康徳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-003458
公開番号（公開出願番号）：特開2003-208787
出願日： 2003年01月09日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：
【要約】【課題】 ユニ-トランジスタランダムアクセスメモリ装置及びそれの読み出し、書き込み、そしてリフレッシュ方法を提供する。【解決手段】 ツインセル構造を採用するスタティックランダムアクセスメモリ装置を制御する方法を提供する。先ず、第1セルトランジスタと第2セルトランジスタに連結されたワードラインが活性化される。その後、第1セルトランジスタを通じて第1セルキャパシタに連結された第1ビットラインと、第2セルトランジスタを通じて第2セルキャパシタに連結された第2ビットラインとの電圧差が感知増幅回路を通じて感知増幅される。第1及び第2ビットラインの中いずれか一つの電圧が所定の基準電圧と一致する時、活性化されたワードラインが非活性化される。
請求項（抜粋）：
スタティックランダムアクセスメモリのデータアクセス方法であって、第1セルトランジスタと第2セルトランジスタとに連結されたワードラインを活性化させる工程と、前記第1セルトランジスタを通じて第1セルキャパシタに連結された第1ビットラインと、前記第2セルトランジスタを通じて第2セルキャパシタに連結された第2ビットラインとの電圧差を感知増幅する工程と、前記第1又は第2ビットラインの電圧が所定の基準電圧に到達する時に前記活性化されたワードラインを非活性化させる工程と、を有することを特徴とする方法。
Fターム (10件)：
5M024AA50
, 5M024BB12
, 5M024BB35
, 5M024BB39
, 5M024CC20
, 5M024CC22
, 5M024PP01
, 5M024PP03
, 5M024PP07
, 5M024PP10
