特許
J-GLOBAL ID：200903059780432845
同期型半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330393
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167484
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】 同期型半導体記憶装置における不要な回路動作を防止し、消費電流の低減および回路誤動作の防止を図る。【解決手段】 内部動作を活性化するアクティブ信号(ACT)が活性状態とされたときのみこのアクティブコマンドとは異なるリードコマンド、ライトコマンドおよびプリチャージコマンドのデコード動作をイネーブルする。内部回路の非活性化時にリードコマンド等のアクティブコマンドとは異なるコマンドが与えられても、他のコマンドデコーダ(42)はデコード動作を行なえないため、不要な回路動作を防止することができる。
請求項（抜粋）：
外部から周期的に繰り返し与えられるクロック信号に同期して動作する同期型半導体記憶装置であって、前記クロック信号に同期して外部から与えられる複数の外部制御信号の状態を判定し、前記外部制御信号が第1の状態の組合せのとき予め定められた第1の内部動作を活性化するための第1のコマンドデコーダ、および前記第1のコマンドデコーダからの活性化信号に応答して作動状態とされ、前記クロック信号に同期して前記複数の外部制御信号の状態を判定して、前記外部制御信号が前記第1の状態の組合せと異なる第2の状態の組合せのとき、前記第1の内部動作とは異なる第2の内部動作を活性化するための第2のコマンドデコーダを備える、同期型半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/401
, G11C 11/407
G11C 11/34 362 C
, G11C 11/34 354 C
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
