特許
J-GLOBAL ID：200903059986748369

半導体基板及び半導体基板の製造方法

発明者：
掛端 哲弥

掛端 哲弥 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-272297
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099900
出願日： 2007年10月19日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐え、且つ安定した特性を示す半導体デバイスを作製することが可能なSOI層を備える半導体基板を提供することを目的とする。【解決手段】SOI層とガラス基板との間に有機シランを材料の一つとして用い、熱CVD法により500°C〜800°Cの温度範囲で成膜された、リンガラス、ボロンガラス、リンボロンガラスのいずれかからなる1層もしくは複数層により形成された接合層を設けることで上記課題を解決する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガラス基板と、 前記ガラス基板上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成された単結晶シリコンからなる半導体層とを含み、 前記絶縁膜が、リンガラス、ボロンガラス及びリンボロンガラスのいずれか一若しくは複数からなり、且つ熱CVD法により有機シランを材料の一つとして500°C以上800°C以下の温度範囲で成膜された絶縁膜であることを特徴とする半導体基板。
IPC (7件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/26
FI (7件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/268 F ,  H01L21/02 B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627D ,  H01L21/322 X ,  H01L21/26 F
Fターム (51件)：
5F110AA17 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG32 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL08 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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