特許
J-GLOBAL ID：200903060002050640

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者：
角田 篤勇

角田 篤勇 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 明近 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296629
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196694
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 MBE法により結晶性の良いInGaAlP系半導体層を作製するため、Inの再蒸発が生じる温度まで成長温度を高くしても結晶性が劣化しないようにする。【解決手段】 (100)面から[011]方向に7°〜15°傾けた面を主面とするGaAs基板1上にGaAsよりなるバッファ層2及びGaInPよりなるバッファ層3をMBE法(分子線エピタキシャル成長法)により形成後、バンドギャップE<SB>gc</SB>のAlGaInPクラッド層4,6、及びバンドギャップE<SB>ga</SB>のAlGaInP活性層5を含む半導体層を含む半導体層をMBE法により形成する。III族の元素の量を調整してE<SB>ga</SB><E<SB>gc</SB>とする。また、半導体レーザ素子は[01-1]方向に延伸するリッジストライプを有する。
請求項（抜粋）：
(100)面から[011]方向にθ°傾けた面を主面とする基板上に、III-V族化合物半導体層からなるバンドギャップE<SB>gc</SB>のクラッド層及びバンドギャップE<SB>ga</SB>の活性層を積層し、リッジストライプを形成した半導体レーザ素子において、前記バンドギャップE<SB>ga</SB>,E<SB>gc</SB>の関係はE<SB>ga</SB><E<SB>gc</SB>であり、前記リッジストライプの延びる方向は[01-1]方向であることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/343
Fターム (10件)：
5F073AA26 ,  5F073AA51 ,  5F073AA53 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA23 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (16件)
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