特許
J-GLOBAL ID：200903060190396337

半導体装置

発明者：
浅野 祐次

浅野 祐次 について

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加藤 盛央

加藤 盛央 について

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瀬戸山 孝男

瀬戸山 孝男 について

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福島 稔彦

福島 稔彦 について

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夏秋 和弘

夏秋 和弘 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について

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シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-081041
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282848
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 相互に反対導電型を有する2つの不純物拡散領域の間の寄生容量を低減させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 表層部が第1導電型の半導体からなる下地基板の上に第1の層12が形成されている。第1の層12は、下地基板の表層部よりも高抵抗の半導体で形成されている。第1の層12の表面の一部の領域に第2導電型の第1の不純物拡散領域13が形成されている。第1の不純物拡散領域13は、下地基板の表面までは達していない。第1の不純物拡散領域13から、面内方向にある間隔を隔てて、第1の層12内に第1導電型の第2の不純物拡散領域5が配置されている。第2の不純物拡散領域5は、下地基板の表面まで達する。第1の不純物拡散領域13と第2の不純物拡散領域5との間に分離領域2が配置されている。分離領域2は、第1の層に形成された溝、及び溝の内部の少なくとも一部の領域に配置された誘電体材料からなる。
請求項（抜粋）：
少なくとも表層部が第1導電型の半導体からなる下地基板と、前記下地基板の上に形成され、該下地基板の表層部よりも高抵抗の半導体からなる第1の層と、前記第1の層の表面の一部の領域に形成され、前記第1導電型とは反対の第2導電型の不純物がドープされ、前記下地基板の表面までは達しない第1の不純物拡散領域と、前記第1の不純物拡散領域から、面内方向にある間隔を隔てて前記第1の層内に配置され、前記第1の不純物拡散領域よりも深いかまたは同じ深さの第1導電型の第2の不純物拡散領域と、前記第1の不純物拡散領域と第2の不純物拡散領域との間に配置され、前記第1の層に形成された溝、及び該溝の内部の少なくとも一部の領域に配置された誘電体材料からなる第1の分離領域とを有する半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 27/14 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/732 ,  H01L 31/10
FI (4件)：
H01L 27/14 Z ,  H01L 27/06 101 D ,  H01L 31/10 A ,  H01L 29/72 S
Fターム (35件)：
4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CB13 ,  4M118EA01 ,  4M118FC09 ,  4M118FC18 ,  5F003BB06 ,  5F003BB08 ,  5F003BC08 ,  5F003BE08 ,  5F003BF03 ,  5F003BH06 ,  5F003BJ03 ,  5F003BJ12 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA03 ,  5F049NA04 ,  5F049NA15 ,  5F049NB08 ,  5F049PA10 ,  5F049QA03 ,  5F049QA14 ,  5F049QA20 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ04 ,  5F082BA05 ,  5F082BA12 ,  5F082BA41 ,  5F082BC03 ,  5F082BC04 ,  5F082BC11 ,  5F082FA13
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (13件)
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