半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-215941
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033388
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】絶縁層を塗布して平坦化処理を行う工程において、この絶縁層の流延を阻害せずに厚さむらを低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基体1上に形成された第1の配線導電層21と、第1の配線導電層21を覆って形成された第1の絶縁層31と、第1の絶縁層31上に、第1の絶縁層31の表面に発生した段部31Aの側面に、段部31Aを平坦化するように形成された無機系の第2の絶縁層32と、第2の絶縁層32上に形成された第3の絶縁層33と、第3の絶縁層33上に形成された第2の配線導電層22とを有し、第1の配線導電層21にスリットSLが形成され、スリットSL間が、第2の配線導電層22によって、電気的に連結している構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に形成された第1の配線導電層と、上記第1の配線導電層を覆って形成された第1の絶縁層と、上記第1の絶縁層上に、該第1の絶縁層の表面に発生した段部の側面に、当該段部を平坦化するように形成された無機系の第2の絶縁層と、上記第2の絶縁層上に形成された第3の絶縁層と、上記第3の絶縁層上に形成された第2の配線導電層とを有し、上記第1の配線導電層にスリットが形成され、上記スリット間が、上記第2の配線導電層によって、電気的に連結している半薄体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 21/90 A , H01L 31/10 H

Fターム (38件)：

5F033HH09 , 5F033JJ01 , 5F033JJ09 , 5F033KK01 , 5F033KK09 , 5F033MM22 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ58 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033TT06 , 5F033VV00 , 5F033VV05 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX34 , 5F049MA02 , 5F049MB03 , 5F049NA08 , 5F049NA18 , 5F049RA03 , 5F049RA06 , 5F049SE09 , 5F049SE11 , 5F049SE12 , 5F049SS03

引用特許：

出願人引用 (8件)

特許第4284748号
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-103096 出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-209039 出願人：日本電気株式会社

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審査官引用 (6件)

特許第4284748号
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-103096 出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-209039 出願人：日本電気株式会社

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