レーザアニールによる薄膜結晶成長

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：浅村皓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-241661
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110544
出願日： 2001年08月09日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】大きな粒の多結晶シリコンをアモルファスシリコンから形成させる方法および装置を提供する。【解決手段】第1のエネルギービームを材料の層に、第1の時点において第1の時間照射する。第2のエネルギービームを材料の層に、第2の時点において第2の時間照射する。ここで、第2の時点を第1の時点の後とし、第2の時間を第1の時間と同じかまたは短くすることで、材料の層を第1の状態から第2の状態に変換する。

請求項（抜粋）：

実質的に第1の状態であり、導電体材料、半導体材料または絶縁体材料から選択される材料の層を供給し;該材料の層に第1のエネルギービームを第1の時点において第1の時間照射し;該材料の層に第2のエネルギービームを第2の時点において第2の時間照射することを含む、材料薄膜の形成方法であって、前記第2の時点を前記第1の時点の後とし、前記第2の時間を前記第1の時間と同じかまたは短くし、前記材料の層を第1の状態から第2の状態へ変換する、材料薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 G , H01L 21/268 J , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 618 Z

Fターム (34件)：

5F052AA02 , 5F052AA03 , 5F052AA04 , 5F052AA24 , 5F052BA02 , 5F052BA15 , 5F052BA18 , 5F052BB01 , 5F052BB04 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA02 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB05 , 5F110BB09 , 5F110CC01 , 5F110DD02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG16 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP08 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110PP36 , 5F110PP40

引用特許：

審査官引用 (7件)

多結晶シリコンの製造方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-008725 出願人：三星電子株式会社
半導体薄膜の製造装置および半導体薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-020225 出願人：シャープ株式会社
基板上の半導体膜領域の結晶化処理及びこの方法により製造されたデバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-542270 出願人：ザトラスティースオブコロンビアユニヴァーシティインザシティオブニューヨーク

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