プラズマCVD装置および光電変換装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：工藤実 , 中尾圭策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-384524
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150317
出願日： 2003年11月14日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】大面積の基板に高品質な膜を均一に、また高速に生成することができるプラズマCVD装置、および光電変換装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明によるプラズマCVD装置1は、高周波電源7と接続される第一電極20と、第一電極20に対向するように配置された第二電極4とを具備する。第一電極20は複数の溝21を備える。被処理体である基板5は第一電極20に対向するように第二電極4により保持される。複数の溝21の各々の幅は、基板5と第一電極20の間の距離以下である。【選択図】図3A

請求項（抜粋）：

複数の溝を備える第一電極と、前記第一電極に対向するように配置された第二電極とを具備し、基板は前記第一電極に対向するように前記第二電極により保持され、前記複数の溝の各々の幅は、前記基板と前記第一電極の間の距離以下であるプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

H01L21/205 , C23C16/509 , H01L31/04

FI (3件)：

H01L21/205 , C23C16/509 , H01L31/04 V

Fターム (25件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA30 , 4K030EA06 , 4K030FA03 , 4K030JA03 , 4K030KA15 , 4K030KA17 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045BB02 , 5F045CA13 , 5F045DP03 , 5F045EC01 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH13 , 5F045EH19 , 5F051AA05 , 5F051BA12 , 5F051CA16 , 5F051CA23

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許2989279号公報
プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-333348 出願人：鐘淵化学工業株式会社

審査官引用 (6件)

高周波放電用電極及び高周波プラズマ基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-191179 出願人：アネルバ株式会社, 菅原實
プラズマ処理装置に用いる電極及びプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-078025 出願人：日新電機株式会社
表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-083838 出願人：株式会社小松製作所

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