特許
J-GLOBAL ID:200903061084425588

光半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-186449
公開番号(公開出願番号):特開2007-005687
出願日: 2005年06月27日
公開日(公表日): 2007年01月11日
要約:
【課題】 青紫色レーザなどに対応する光ピックアップ用レーザモニタに使用する場合など、短波長の光を取り扱う光半導体装置を小型で、かつ、簡単に製造することができる構造の光半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板1に一対の端子電極パターン2、3が設けられ、その一方の端子電極パターン2上に受光素子5がマウントされている。この受光素子5の一対の電極は、一対の端子電極パターン2、3と電気的に接続されている。この一対の端子電極パターン2、3の露出部の少なくとも一部はソルダーレジスト7などの接着性を向上させる接着性樹脂層により被覆され、その表面に透光性封止樹脂層8が設けられている。この透光性封止樹脂層8は、シリコーン樹脂またはシリコーン変成エポキシ樹脂からなり、かつ、透光性封止樹脂層8の外周は、基板1の切断面と同一面に形成されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
支持手段により支持され、相対向して設けられる一対の端子電極パターンと、該一対の端子電極パターンの一方または該一対の端子電極パターンの間にマウントされる受光素子と、該受光素子の一対の電極を前記一対の端子電極パターンと電気的に接続する接続手段と、該接続手段および前記受光素子とを被覆する透光性封止樹脂層とを具備し、前記透光性封止樹脂層がシリコーン樹脂またはシリコーン変成エポキシ樹脂からなると共に、該透光性封止樹脂層と前記一対の端子電極パターンおよび前記支持手段との両方に接着性を有する接着性樹脂層が前記一対の端子電極パターンおよび支持手段の露出部の少なくとも一部に設けられ、該接着性樹脂層の表面に前記透光性封止樹脂層が設けられると共に、該透光性封止樹脂層の外周は、前記支持手段と同時に切断された切断面を有することを特徴とする光半導体装置。
IPC (1件):
H01L 31/02
FI (1件):
H01L31/02 B
Fターム (8件):
5F088AA02 ,  5F088AB03 ,  5F088BA13 ,  5F088BA18 ,  5F088BB10 ,  5F088JA06 ,  5F088JA10 ,  5F088LA03
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 光半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-363238   出願人:京セラ株式会社
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る