特許
J-GLOBAL ID:200903061363591900

表面増強赤外吸収センサーとその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西澤 利夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-228904
公開番号(公開出願番号):特開2009-080109
出願日: 2008年09月05日
公開日(公表日): 2009年04月16日
要約:
【課題】より簡便・安価に製造でき、より高感度で再現性にすぐれた表面増強赤外吸収(SEIRA)センサーの製造技術を提供する。【解決手段】誘電体基板上に金属ナノ薄膜が吸着されてなる表面増強赤外吸収センサーの製造方法であって、溶液中に分散した金属ナノ粒子を基板表面に吸着させ、あるいは吸着した金属ナノ粒子を溶液中で成長させることにより製膜し、前記基板の金属ナノ薄膜が配置されている側とは反対側の面から赤外光を照射し、前記基板から染み出したエバネッセント波を検出して表面増強赤外吸収シグナルをその場モニターしながら、表面増強赤外吸収活性度を調整することにより、前記金属ナノ薄膜を扁平かつ分断された島状に成長させることを特徴とする表面増強赤外吸収センサーの製造方法。【選択図】図3
請求項(抜粋):
誘電体基板上に金属ナノ薄膜が吸着されてなる表面増強赤外吸収センサー材料であって、前記金属ナノ薄膜は、前記基板上に2次元充填率0.7以上1未満で扁平かつ分断された島状に配置され、隣接する島状部間の平均間隔が7nm以下であることを特徴とする表面増強赤外吸収センサー材料。
IPC (4件):
G01N 21/35 ,  G01N 21/64 ,  G01N 21/65 ,  C23C 14/04
FI (4件):
G01N21/35 Z ,  G01N21/64 Z ,  G01N21/65 ,  C23C14/04 Z
Fターム (10件):
2G043EA01 ,  2G043EA03 ,  2G059AA01 ,  2G059AA05 ,  2G059EE01 ,  2G059EE12 ,  2G059HH01 ,  4K029BB03 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01
引用特許:
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る