特許
J-GLOBAL ID：200903061390621498

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者：
大野 毅之

大野 毅之 について


出願人/特許権者：
積水化学工業株式会社

積水化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-342196
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108709
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 被処理体ごとに予備放電を行うことなくプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置M1は、第1の被処理体81を処理空間でプラズマに曝し終わった後、電圧制御手段によってプラズマの発生を停止する。プラズマ処理装置M1は、プラズマの発生が停止している状態で、ガス供給手段71によって電極11、12の間に乾燥ガスの供給を行い、電極の乾燥状態を維持する。このため、プラズマの発生を再開したときから安定したプラズマを発生することができ、ひいては被処理体ごとに予備放電を行うことなく短時間でプラズマ処理を行うことができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いに対向する一対の電極を備え、 前記電極間に放電処理電圧を印加することによって発生するプラズマを用いて、被処理体をプラズマに曝すプラズマ処理方法であって、 前記電極間に放電処理電圧を印加する電圧印加工程と、 前記電圧印加工程の前工程及び/又は後工程として、プラズマの発生が停止している状態で、前記電極間に乾燥ガスを供給するガス供給工程と を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H05H1/24 ,  B08B7/00 ,  C23C16/513 ,  C23F4/00 ,  H01L21/304
FI (5件)：
H05H1/24 ,  B08B7/00 ,  C23C16/513 ,  C23F4/00 A ,  H01L21/304 645C
Fターム (19件)：
3B116AA02 ,  3B116AA03 ,  3B116AB03 ,  3B116BB88 ,  3B116BC01 ,  4K030EA03 ,  4K030EA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030KA17 ,  4K057DA01 ,  4K057DA20 ,  4K057DB01 ,  4K057DB20 ,  4K057DC10 ,  4K057DD01 ,  4K057DM02 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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