半導体装置の作製方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-356650
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191564
出願日： 2004年12月09日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】表示領域が大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造およびその作製方法を提供する。【解決手段】画素部のゲート電極127をWを主成分とする材料膜108aと、Alを主成分とする材料膜108bと、Tiを主成分とする材料膜108cとの3層構造として配線の低抵抗化を図るものである。ICPエッチング装置を用いて配線をエッチングする。また、ゲート電極127はテーパー形状を有し、テーパー形状となっている部分を1μm以上とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に膜厚10nm以下の窒化シリコン膜を形成し、前記窒化シリコン膜上に接する非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に金属元素を添加し、前記金属元素が添加された非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、前記結晶質半導体膜から前記金属元素を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (9件)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H05B33/14

FI (10件)：

H01L29/78 617U , G02F1/1368 , H01L21/20 , H01L21/28 301R , H05B33/14 A , H01L29/78 627G , H01L29/78 627Z , H01L29/78 626C , H01L29/58 G , H01L21/88 R

Fターム (191件)：

2H092JA24 , 2H092JA37 , 2H092JB64 , 2H092JB69 , 2H092KA18 , 2H092KB13 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA30 , 2H092MA48 , 2H092NA28 , 2H092PA10 , 2H092PA11 , 2H092PA12 , 2H092RA05 , 2H092RA10 , 3K007AB03 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF08 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG08 , 4M104GG14 , 4M104GG19 , 4M104HH03 , 4M104HH16 , 5F033GG00 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ08 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033KK08 , 5F033KK10 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033MM19 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ34 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033RR01 , 5F033RR03 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR08 , 5F033RR21 , 5F033SS02 , 5F033SS08 , 5F033SS09 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033WW02 , 5F033XX06 , 5F033XX10 , 5F033XX28 , 5F033XX34 , 5F052AA02 , 5F052AA24 , 5F052AA25 , 5F052BB04 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052JA01 , 5F110AA03 , 5F110AA09 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE37 , 5F110EE38 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN44 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34

引用特許：

審査官引用 (7件)

薄膜トランジスタ型液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-202633 出願人：株式会社フロンテック
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-107575 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
標本化回路を形成する薄膜回路素子を有する電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-112844 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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