特許

J-GLOBAL ID：200903061558350878

SiC基板およびSiC基板の製造方法

発明者： 廣岡 泰典
出願人/特許権者： 株式会社NEOMAX
代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-374617
公開番号（公開出願番号）：特開2004-168649
出願日： 2003年11月04日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：

【課題】 実用的な条件によって加工変質層を除去するSiC基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のSiC基板の製造方法は、第1および第2の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層3aを前記第1の主面に有するSiC基板1から、前記加工変質層3aの少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程を包含する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

第1および第2の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層を前記第1の主面に有するSiC基板から、前記加工変質層の少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程(a)を包含するSiC基板の製造方法。

IPC (3件)：

C30B29/36 ,  C30B33/12 ,  H01L21/3065

FI (3件)：

C30B29/36 A ,  C30B33/12 ,  H01L21/302 105B

Fターム (20件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077FG03 ,  4G077FG11 ,  4G077HA12 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭55-20262号公報
  

審査官引用 (8件)

• 炭化ケイ素単結晶並びにその製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-111374   出願人：株式会社ブリヂストン
• SiC単結晶基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-343098   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体装置作製用SiC単結晶基板とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-357053   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 特表平5-500883
  
• 特開昭63-009936
  
• メカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-259116   出願人：株式会社デンソー
• 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-295255   出願人：株式会社日立製作所
• 炭化珪素単結晶ウェハの製造方法、および炭化珪素単結晶ウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-297064   出願人：新日本製鐵株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Improvement of contact resistances on plasma-exposed silicon carbide