特許
J-GLOBAL ID：200903061567582145

III-V族化合物の半導体微粒子およびその製造方法

発明者：
木野本 純一

木野本 純一 について

, 
両輪 達也

両輪 達也 について

, 
齊藤 肇

齊藤 肇 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-180661
公開番号（公開出願番号）：特開2009-019067
出願日： 2007年07月10日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
【課題】高い発光効率を示すIII-V族化合物の半導体微粒子、およびその製造方法を提供する。【解決手段】アルミニウム、ガリウムおよびインジウムから選択される1種以上のIII族金属元素と、リンおよびヒ素から選択される1種以上のV族元素とを有するIII-V族化合物の半導体微結晶と、アミノ基と、を備えるIII-V族化合物の半導体微粒子であって、前記半導体微結晶の表面のV族元素と、 一般式 -NR1 (1)および/または 一般式 -NR1R2 (2)および/または 一般式 -NR1R2R3 (3)(式中、R1、R2およびR3は、互いに同一または異なって、水素、および/または、炭化水素基を表わす)で示される前記アミノ基の窒素元素とが結合してなるIII-V族化合物の半導体微粒子およびその製造方法に関する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
アルミニウム、ガリウムおよびインジウムから選択される1種以上のIII族金属元素と、リンおよびヒ素から選択される1種以上のV族元素とを有するIII-V族化合物の半導体微結晶と、 アミノ基と、を備えるIII-V族化合物の半導体微粒子であって、 前記半導体微結晶の表面のV族元素と、 一般式 -NR1 (1) および/または 一般式 -NR1R2 (2) および/または 一般式 -NR1R2R3 (3) (式中、R1、R2およびR3は、互いに同一または異なって、水素、および/または、炭化水素基を表わす)で示される前記アミノ基の窒素元素と、が結合してなるIII-V族化合物の半導体微粒子。
IPC (3件)：
C09K 11/70 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/74
FI (4件)：
C09K11/70 ,  C09K11/08 A ,  C09K11/08 G ,  C09K11/74
Fターム (10件)：
4H001CA02 ,  4H001CA04 ,  4H001CA05 ,  4H001CC13 ,  4H001CF01 ,  4H001XA13 ,  4H001XA15 ,  4H001XA31 ,  4H001XA33 ,  4H001XA49
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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