特許
J-GLOBAL ID：200903061767618497

半導体製造用保持体およびその製造方法

発明者：
湯塩 泰久

湯塩 泰久 について

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仲田 博彦

仲田 博彦 について

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夏原 益宏

夏原 益宏 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 上代 哲司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-044544
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058631
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体素材配線に絶縁部をガスプラズマによって付与する際、同素材を保持し、セラミック基材を積層した静電チャッキング方式の保持体であって、プラズマ耐食性に優れ、大きな外径であっても各部寸法精度の高い保持体( 静電チャック )を提供する。【解決手段】 複数の窒化アルミニウム(AlN)系セラミックスからなる基材を高融点金属層と接着層とによって積層した半導体製造用保持体であり、特にこの窒化アルミニウム(AlN)セラミック基材が、3a族元素の化合物を同元素に換算して0.01〜1重量%含み、残部が実質的に窒化アルミニウム(AlN)からなり、AlN結晶の平均粒径が2〜5μmのものとする。
請求項（抜粋）：
半導体素材を静電気で保持する半導体製造用保持体であって、窒化アルミニウム系セラミックスからなる複数の基材を高融点金属層と接着層とによって積層した半導体製造用保持体。
IPC (4件)：
H01L 21/68 ,  C04B 35/581 ,  C04B 37/02 ,  H02N 13/00
FI (4件)：
H01L 21/68 R ,  C04B 37/02 B ,  H02N 13/00 D ,  C04B 35/58 104 B
引用特許：
審査官引用 (9件)
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