磁気抵抗効果素子および磁気メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-023337
公開番号（公開出願番号）：特開2007-207919
出願日： 2006年01月31日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

【課題】素子破壊が発生しない低電流密度でスピン反転し、低電流で書き込みを行うことを可能にする。【解決手段】磁化の向きが固着された磁化固着層4と、磁化の向きが可変の磁気記録層6と、磁化固着層と磁気記録層との間に設けられた非磁性層5とを備え、磁化固着層の磁化の向きと磁気記録層の磁化の向きが0度より大きく、180度よりも小さい角度をなしており、磁気記録層にスピン偏極した電子を注入することにより磁気記録層の向きを反転させる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

磁化の向きが固着された磁化固着層と、磁化の向きが可変の磁気記録層と、前記磁化固着層と前記磁気記録層との間に設けられた非磁性層とを備え、前記磁化固着層の磁化の向きと前記磁気記録層の磁化の向きが0度より大きく、180度よりも小さい角度をなしており、前記磁気記録層にスピン偏極した電子を注入することにより前記磁気記録層の向きを反転させることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01F 10/32 , H01L 29/82

FI (5件)：

H01L43/08 P , H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , H01F10/32 , H01L29/82 Z

Fターム (52件)：

4M119AA01 , 4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD08 , 4M119DD09 , 4M119DD22 , 4M119DD25 , 4M119DD26 , 4M119DD27 , 4M119DD42 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049CB01 , 5F092AA04 , 5F092AB07 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD22 , 5F092AD25 , 5F092BB04 , 5F092BB05 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB18 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB49 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BC20 , 5F092BC42 , 5F092BE06 , 5F092CA23 , 5F092CA25

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許明細書第6256223号

審査官引用 (7件)

磁気トンネル接合の切替え磁界の特性を変更するための方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-278935 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
磁性体素子及磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-342576 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-524584 出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド

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