特許
J-GLOBAL ID：200903061885536926
半導体ウエーハの分割方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐々木 功
, 川村 恭子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-333341
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101290
出願日： 2003年09月25日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】 結晶方位の識別性とIDマークの情報の認識性とを喪失させないで効率よく分割できるようにすること。【解決手段】半導体ウエーハ10の外周領域をわずかに残し、半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さの溝15をストリートに沿って形成する溝形成工程と、該溝15が形成された半導体ウエーハ10の表面に保護部材16を配設する保護部材配設工程と、前記半導体ウエーハ10の裏面を研削して前記溝15を表出させ、前記半導体ウエーハ10を個々の半導体チップに分割する分割工程とから少なくとも構成されることにより、その後の半導体ウエーハ10の裏面を研削水を供給しながら研削して分割する工程において、外周端縁から汚れた研削水が切削溝に浸透して半導体チップを汚染する虞がなく、しかも、IDマーク14の情報の認識性と、結晶方位を示すノッチ13の識別性とを喪失させないで、効率よく分割する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
表面に複数の半導体チップがストリートによって区画されて形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する半導体ウエーハの分割方法であって、
前記半導体ウエーハの外周領域をわずかに残し、半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さの溝をストリートに沿って形成する溝形成工程と、
該溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、
前記半導体ウエーハの裏面を研削して前記溝を表出させ、前記半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する分割工程と
から少なくとも構成される半導体ウエーハの分割方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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