特許
J-GLOBAL ID：200903062120238877
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-141481
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340265
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、電極パッドがAl系以外の金属からなる場合であっても、その電極パッドとはんだバンプとの密着強度や電気コンタクト特性の劣化を招くことのない、高い信頼性と耐久性をもつ半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板10の表面層に形成されたLSIのCu配線層12の外部接続端子としてのCu電極パッド部12a上には、例えばAl膜やTi膜からなる密着層20aが形成されている。この密着層20a上には、例えばCr/Cu/AuやTi/Cu/Auの積層構造からなるBLM膜24が形成されている。このBLM膜24上には、Pb及びSnからなるはんだボールバンプ26が形成されている。そして、密着層20aにより、Cu電極パッド部12aとBLM膜24との間の良好な密着性を実現している。
請求項（抜粋）：
電極パッド上にバリアメタル膜を介してはんだバンプが形成されている半導体装置であって、前記電極パッドと前記バリアメタル膜との間に、両者の密着性を強化するための密着層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60
, H01L 21/60 311
H01L 21/92 603 D
, H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/92 604 P
, H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 C
